Транзистор Toshiba GT60N321

Транзистор Toshiba GT60N321

GT60N321 — це потужний IGBT-транзистор (біполярний транзистор із ізольованим затвором) N-канального типу від компанії Toshiba.

Він широко використовується у високовольтних та потужних схемах комутації, наприклад, в індукційних плитах, зварювальних апаратах, інверторах та джерелах безперебійного живлення (UPS).

Основні технічні характеристики:

• Тип транзистора: IGBT (N-Channel)

• Максимальна напруга колектор-емітер ($V_{CES}$): 1000 В

• Максимальний струм колектора ($I_C$): 60 А (при $T_C = 25^\circ\text{C}$)

• Максимальна потужність, що розсіюється ($P_C$): 170 Вт

• Напруга насичення колектор-емітер ($V_{CE(sat)}$): зазвичай близько 2.1–2.4 В

• Вбудований діод: Так (FRD — швидкий діод між колектором та емітером для захисту від зворотного струму)